2月12日，据BusinessKorea报说念，三星电子正筹划将其在西安的工场升级至286层（V9）NAND闪存工艺，以布置低迷的市集以及来自中国半导体公司的日益强烈的竞争。

该报说念提到，三星自2023年以来一直在鼓动其西安工场的主力128层（V6）NAND工艺向236层（V8）工艺线过渡。关系词，三星决定更进一步，装置V9工艺线。三星筹划在上半年引入该工艺所需的新树立，并力求鄙人半年建成一条月产能为2000至5000片晶圆的分娩线。

这次转型是三星为保执当时刻最初地位并确保永恒居品竞争力而选拔的更平方策略的一部分，以布置现时市集低迷的款式，并布置来自像长江存储（YMTC）这么的中国半导体公司的日益强烈的竞争，后者最近已初始大范围分娩294层NAND闪存。

NAND闪存主要用于固态硬盘（SSD）等规模，层数越多，单元空间存储密度就越大，总存储容量越容易普及。不外，层数并不是决定闪存性能的独一倡导。

三星西安工场是三星独一的国外存储芯片分娩基地，对三星的大师供应链至关伏击，其分娩的NAND芯片约占公司总产量的40%，升级至286层NAND工艺展望能扩大该工场的分娩智力。

拜登政府于2023年授予三星“经核实最终用户（VEU）”地位使三星轻视在中国分娩跨越200层的NAND闪存，让三星得以在地缘政事病笃款式下链接在中国进行先进制造。

三星西安工场三星电子

2022年10月，好意思国商务部发布出口延续按序，条件向中国出口用于分娩18纳米以下DRAM内存的分娩树立、128层以上NAND闪存分娩树立以及14纳米以下逻辑芯片的树立和时刻时，必须得回“推定终止”好意思国政府的许可。2024年12月，好意思国商务部再次加强了对中国半导体产业的出口延续，将140家中国实体列入实体清单，此前的对象包括长江存储。

三星已告示，其半导体商讨所完成冲突性的400层NAND（V10）时刻斥地，并一直在奋力将400层（V10）NAND哄骗于平泽工场1号（P1）的量产线，初步量产有望在本年下半年兑现。三星上个月公布了前年第四季度的功绩，并暗示：“咱们筹划加速向236层和286层NAND的转型，以确保永恒的居品竞争力。”

三星也在准备与SK海力士竞争，后者已告示量产321层NAND闪存。

据BusinessKorea报说念，尽管取得了这些证据，三星展望本年第一季度每月分娩42万片NAND芯片，较上一季度减少25%。这一减产反应了现时转移和PC市集需求的下滑，这受到诸如价钱高潮和利率上升等经济身分的影响。关系词，来自东说念主工智能数据中心等规模的延续增长的需求，促使三星等公司专注于高性能、大容量NAND芯片的分娩。

值得防御的是，1月，三星因为预期价钱暴跌，为了保护盈利智力而决定减少主要为西安厂的NAND闪存产量，西安工场的晶圆产量展望将由平均每月20万片晶圆减少至17万片。与此同期，SK海力士则信心闹热，筹划逐年1加多NAND产量。

据金融时报报说念，2024年第四季度，SK海力士的季度利润初度跨越了竞争敌手三星。

早在2023年头，三星曾经因市集环境恶化削减NAND闪存的产量。其中西安一厂在2022年第四季度的产量为每月12.5万块12英寸晶圆，减至2023年第一季度的11万块，减少了约12%赌钱软件排名第一，而西安二厂则从每月14.5万块减少至13.5万块，减少了约7%。